国产GaN又有新突破
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原创 行家产研-许若冰 第三代半导体风向 2021-12-16 17:55
“无锡高新区在线”官微消息，12月15日，吴越半导体举行了GaN晶体出片仪式，展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体。
此外，在这次仪式上，吴越半导体还与君联资本、新投集团签署了A 轮融资战略框架协议。
据了解，吴越半导体成立于 2019 年，主要从事半导体晶体、晶圆、芯片及器件的研发、生产、销售。
2020 年 2 月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，据悉，这是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目。
根据《2021第三代半导体调研白皮书》，在GaN单晶衬底的研制开发方面，日本、中国、欧美处于世界前列，主要的供应商包括：中国的纳维、中镓、镓特、瀚镓，日本的住友、古河机械、三菱，以及美国的Kyma和法国的Lumilog等公司。
而市场化方面，根据吴越半导体总经理张海涛的现场介绍，从全球GaN衬底的竞争格局来看，目前大约85%的市场都集中在日本厂商手中，美国和欧洲企业的市场份额分别为10%和4%，其他国家的市场份额加起来仅1%。
随着吴越半导体氮化镓晶体出片，以及国内其他企业不断推进项目量产化进程，预计国产氮化镓单晶市场份额将会逐步提高。
目前，国内氮化镓单晶相关企业和项目如下：
●据《中国科学报》报道，苏州纳维在2017年率先推出4英寸GaN单晶衬底业，并且还突破了6英寸的关键核心技术。2021年1月24日，纳维举行总部大楼奠基仪式，以推进相关技术的进一步发展，项目建成后，GaN单晶衬底及外延片年产能达5万片。
●2018年2月，东莞中稼半导体宣布，在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底，并预计同年年底实现常规量产。9月9日，东莞增补了61个2021年第三批市重大项目，其中包括广东光大的氮化镓项目，总投资额高达44亿元，建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底等产品。
●2020年3月，镓特半导体也宣布开发出4英寸掺碳半绝缘GaN晶圆片。根据铜陵经济技术开发区今年1月19日消息，镓特已初步具备自支撑氮化镓晶圆片产业化生产条件，4英寸自支撑氮化镓晶圆片厚度达800μm，位错密度为106 cm-2数量级，翘曲在0.1 mm以下，晶格曲率半径达20 m，半绝缘型氮化镓电阻率超过109Ω·cm，各项技术指标处于世界领先水平。
●今年8月9日，《浦东时报》公示了《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示
根据公示内容，上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。
