天科合达、英诺赛科等6个项目获科技部支持
前段时间，科技部发布了“十四五”第三代半导体项目申报指南通知（.点这里.），最近，科技部正式发文，将碳化硅、氮化镓等拟立项项目信息进行公示，其中天科合达、英诺赛科等企业和单位入围。
根据申报指南，十四五的“新型显示与战略性电子材料”重点专项将主要围绕第三代半导体等3个技术方向，拟启动25个项目，拟安排国拨经费3.79亿元。
根据公示通知，这次拟立项的GaN和SiC相关的项目有以下6个：
▲ “面向大数据中心应用的 8 英寸硅衬底上氮化镓基外延材料、功率电子器件及电源模块关键技术研究”项目，由英诺赛科（珠海）科技有限公司牵头承担，项目实施周期为4年；
▲ “大尺寸 SiC 单晶衬底制备产业化技术”项目，由北京天科合达半导体股份有限公司牵头承担，项目实施周期为4年；
▲ “基于氮化物半导体的纳米像元发光器件研究”项目，由南京大学牵头承担，项目实施周期为4年；
▲ “中高压 SiC 超级结电荷平衡理论研究及器件研制”项目，由西安电子科技大学牵头承担，项目实施周期为4年；
▲ “晶圆级 Si(100)基 GaN 单片异质集成关键技术研究”项目，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所牵头承担，项目实施周期为3年；
▲ “GaN 单晶新生长技术研究”项目，由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所牵头承担，项目实施周期为4年。
